Коллектив ученых Пенсильванского университета создал из нанопроволоки память высокой емкости, способную сохранять троичные значения (0, 1 и 2) вместо всюду встречающихся двоичных (0 и 1) значений.
Взятая американскими физиками нанопроволока состоит из двух цилиндрических полупроводников, соосно вставленных друг в друга. Внутренний цилиндр (ядро) сделан из комбинации германия, сурьмы и теллура, а внешний (оболочка) из теллурида германия.
Подобная структура дает возможность производить запись информации с изменением фазы, то есть вызывая переход носителя из аморфного состояния в кристаллическое. Аморфное состояние соответствует значению 1, а кристаллическое – 0. Аналогичный принцип записи реализован в магнитооптических, Blu-Ray и DVD-дисках.
Создатели нового типа памяти убеждены, что отныне количество записанной на носитель информации увеличивается минимум на 60 процентов, площадь же носителя сокращается на 37%.